特种气体是由两大类气体组成的。
一类为单元高纯气体,另一类为混合气体。
到目前为止,特种气体中单元纯气体共有260种。
其中:
电子气体共114种,占总数的43.8%(实际常用的约44种);
有机气体共65种,占总数的25%;
无机气体共35种,占总数的13.4%;
卤碳素气体共29种,占总数的11%;
同位素气体共17种,占总数的6.8%。
特种气体的用途
本文专门介绍这260种单元高纯特种气体的用途。
1.氮气-N2,纯度要求>99.999%,用作标准气、在线仪表标准气、校正气、零点气、平衡气；用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻、退火、搭接、烧结等工序；电器、食品包装、化学等工业也要用氮气。
2.氧气-O2,>99.995%,用作标准气在线仪表标准气、校正气、零点气；还可用于医疗气；在半导体器件制备工艺中用于热氧化、扩散、化学气相淀积、等离子干刻等工序；以及用于光导纤维的制备。
3.氩气-Ar,>99.999,用作标准气、零点气、平衡气；用于半导体器件制备工艺中晶体生长、热氧化、外延、扩散、氮化、喷射、等离子干刻、载流、退火、搭接、烧结等工序；特种混合气与工业混合气也使用氢。
4.氢气-H2,>99.999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、在线仪表标准气；在半导体器件制备工艺中用于晶休生长、热氧化、外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工序；在化学、冶金等工业中也有用。
5.氦气-He,>99.999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、医疗气；于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、载流等工序；另外,特种混合气与工业混合气也常用。
6.氯气-Cl2,>99.96%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序；另外,用于水净化、纸浆与纺织品的漂白、下业废品、污水、游泳池的卫生处理；制备许多化学产品。
7.氟气-F2,>98%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻；另外,用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等。
8.氨气-NH3,>99.995%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中氮化工序；另外,用于制冷、化肥、石油、采矿、橡胶等工业。
9.氯化氢-HCI,>99.995%,用作标准气；用于半导体器件制备工艺中外延、热氧化、扩散等工序；另外,用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、生产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用。
10.一氧化氮-NO,>99%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积主序；制备监控大气污染的标准混合气。
11.二氧化碳-CO2,>99.99%,用作标准气、在线仪表标推气、校正气；于半导体器件制备工艺中氧化、载流工序警另外,还用于特种混合气、发电、气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食品冷冻、金属冷处理、饮料充气、烟雾喷射剂、食品贮存保护气等。
12.氧化亚氮-N2O,(即笑气),>99.999%,用作标准气、医疗气；用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积、医月麻醉剂、烟雾喷射剂、真空和带压检漏；红外光谱分析仪等也用。
13.硫化氢-H2S,>99.999%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻,化学工业中用于制备硫化物,如硫化钠,硫化有机物；用作溶剂；实验室定量分析用。
14.四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作标准气；用于半导体器件制备工艺中外延丫、化学气相淀积等工序；另外,用作溶剂、有机物的氯化剂、香料的浸出剂、纤维的脱脂剂、灭火剂、分析试剂、制备氯仿和药物等。
15.氰化氢-HCN,>99.9,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；制备氢氰酸溶液,金属氰化物、氰氯化物；也用于制备丙烯睛和丙烯衍生物的合成中间体。
16.碳酰氟-COF2,>99.99%,用于半寻体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用作氟化剂。
17.碳酰硫-COS,>99.99%,用作校正气；用于半导体器件制备工艺中离子注入工序；也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸盐和噻唑的合成。
18.碘化氢-HI,>99.95%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序；还用于氢碘酸溶液制备。
19.嗅化氢-HBr,>99.9%,用于半导体制备工艺中等离子干刻工序；用作还原剂,制备有机及无机澳化合物。
20.硅烷-SiH4,>99.999%,电阻率>100Ω/cm2,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积等工序。
21.乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半导体制备工艺中化学气相淀积。
22.磷烷-PH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序；磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。
23.砷烷-AsH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序。
24.硼烷-B2H6,>99.995%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序；用于有些化学工业合成过程:如氢硼化反应(即生成醇类),有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
25.锗烷-GeH4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。
26.锑烷-SbH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。
27.四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。
28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。
29.丙烷-C3H8,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料。
30.硒化氢-H2Se,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。
31.碲化氢-H2Te,>99,999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。
32二氯二氢硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
33.三氯氢硅-SiHCl3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。
35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。
36.二甲基锌(CH5)2Zn,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。
37.二乙基锌(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。
38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺；PCl3是有机物的良好氯化剂；也用于含磷有机物的合成。
39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。
40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散；作硼载气及一些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳、氧化合物。
41.四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。
42.四氯化锡-SnCl4,>99.99%,用于外延、离子注入。
43.四氯化锗-GeCl4,>99.999%,用于离子注入。
44.四氯化钦-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。
45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、离子注入。
46.五氯化锑-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、离子注入。
47.六氯化钥-MoCl6,>99.9%,用于化学气相淀积。
48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。
49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、离子注入。
50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于扩散工序。
苏公网安备 32028102001101号
QQ咨询